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• 확산 접합 트랜지스터, 擴散接合-, diffused junction transistor

  하나를 불순물 확산법(diffusion)에 따라 제작한 트랜지스터. p형 영역을 형성할 때는 붕소(B, boron)를, n형 영역일 때는 인(P, phosphorus)을 고온에서 가스 상태로 반도체 단결정의 표면에 확산 침투시켜 결정 중에 p-n 접합을 만든다. 메사형(mesa), 플레이너형(planer), 에피택셜형(epitaxial) 등이 있다.